LED高功率芯片抛光钼散热基板

钼、钼铜和材料制成的晶圆衬底：若使LED灯具有耐用性，需配装可靠的坚固部件。钼、MoCu晶片衬底，LED芯片的使用寿命可轻松达到10万个小时。LED芯片中的半导体层可将电流转化为光。半导体层由电子区（N型掺杂）和空穴区（P型掺杂）组成。电流通过半导体层，电子与空穴结合，以光子形式发出光。剩余能量以热辐射形式释放，温度可达85℃。未来的LED亮度  ，工作温度随之也会上升。例如基于蓝宝石或硅基衬底的LED垂直结构芯片，现在可以用纯钼衬底；垂直LED工艺中，金属衬底与LED芯片的半导体层键合，温度可达800℃。能够应对键合工艺的高温以及LED对散热的长期需求。这种材料有与Al2O3具有相同的热膨胀系数。Al2O3是LED芯片中蓝宝石衬底和陶瓷基座的成分，正因为金属衬底，蓝宝石衬底以及陶瓷底板三者的热膨胀性一致，从而避免了半导体层和键合层出现应热应力释放不均而导致的缺陷。为LED芯片定制的钼铜材料，其热导率(TC)为190W/mK（20℃时），高于纯钼的材料142W/mK。好处是为蓝宝石基板LED芯片提供  的散热性。钼和钼铜晶圆衬底的最小厚度为0.05mm，最小直径为2in。最大直径达4英寸或6英寸的晶圆衬底。晶片衬底的粗糙度和平整度对与半导体层的键合制程产生决定性影响。